半导体一周要闻

2019.4.9- 2019.4.13

 o   2018年中国集成电路总产值达6532亿元，14nm将量产

4月8日，在深圳举行的本年度全国电子信息行业工作座谈会上，工业和信息化部电子信息司集成电路处处长任爱光介绍，2018年这6532亿元的产值中，集成电路设计业销售收入2519.3亿元，所占比重从2012年的35%增加到38%；制造业销售收入1818.2亿元，所占比重从23%增加到28%；封测业销售收入2193.9亿元，所占比重从2012年的42%降低到34%。集成电路设计业、制造业、封测业三类产业的结构更加趋于优化。

2018年我国集成电路产业销售额已达到6532亿元，2012年到2018年的复合增长率为20.3%，是全球的近三倍。产业链各环节齐头并进，产业结构更加趋于优化。此外任爱光强调，目前，我国集成电路设计业产业规模不断壮大，先进设计水平达到7纳米，但仍以中低端产品为主；在集成电路制造环节，存储器工艺实现突破，14纳米逻辑工艺即将量产，但与国外仍有两代差距；集成电路封装测试业是与国际差距最小的环节，高端封装业务占比约为30%，但产业集中度需进一步提高。

o   停止为三安光电提供产品，应用材料打脸了自家CEO

据了解，美国供应商也不能依照现有的许可证为名单上的企业提供产品和服务，必须重新申请新的许可证。据知情人士透露，虽然该名单并未要求厂商禁止与名单上的公司进行往来，不过却要求美国公司谨慎对待这些企业。

入单的包括半导体光电、汽车技术、液晶材料、精密光学、机床生产领域的企业，以及广东工业大学、中国人民大学、同济大学以及位于西安的两所学校等。名单上还有6家香港机构及阿联酋、马来西亚等少数机构。

应用材料公司的决定不仅打了自家CEO的脸，更有可能损害其公司的利益。根据最新材料显示，应用材料约26%的收入来源于中国。

o   半导体公司成主力，十家企业进军科创板

3月22日，科创板公布首批获得受理的申报企业名单，截至目前，已经有57家企业提交科创板上市申请获受理，同时，有15家受理的科创板申请企业目前进入“已问询”阶段，企业后续还需闯过审核问询、上市审议、证监会注册、发行上市四道关卡。 

数据显示，57家科创板申报企业预计总募资额度约达到500多亿元。从企业注册地来看，北京共计有12家；上海、江苏各有10家；广东为8家；浙江有5家；福建、湖北和山东各有2家；天津、湖北、安徽、四川、黑龙江和陕西各有1家。 

其中，集成电路产业相关企业是科创板申报的主力，目前该行业共有晶晨半导体、睿创微纳、澜起科技、聚辰半导体、和舰芯片、安集微电子、晶丰明源、中微半导体、乐鑫科技、苏州华兴源创等10家企业被受理。

o   DRAM进展顺利，研发量产稳步推进

全球半导体销售2017年4200亿美金，存储芯片销售达到1200亿美金，占比30%，其中DRAM 700亿美金。2018年预估存储芯片到1600亿美金、DRAM 1000亿美金。从IC Insights预计来看，2018年位居集成电路细分领域产值前两名的仍然是DRAM和NAND Flash，而出货量方面电源管理、无线通信、工业级汽车类模拟产品占据前五名中四席。

市场此前对于福建晋华遭到禁运事件十分关注、半导体板块整体收到压制，其中合肥长鑫睿力DRAM项目尤其受到关注，我们认为当前Price in程度较低！沟通下来合肥项目目前进展顺利超预期、前期洽谈ASML继续购置核心设备光刻机+产能空间稳步提升，从项目伊始即高度注重专利保护，看好作为国产存储急先锋、切入千亿美金市场！

合肥长鑫作为三大存储芯片厂商中第一家正式投片的dram大厂，目前进展顺利，新一版产品已经突破，预计2019下半年量产。

o   紫光公布2018年财报，营收增长23.63%，再投33亿做研发

公司实现营收483.06亿元，同比增长23.63%；实现归属于上市公司股东的净利润17.04亿元，同比增长8.86%，扣非净利润为13.11亿元，同比增长35.11%；经营活动产生的现金流量净额为48.69亿元，同比增长1705.09%。

研发方面，紫光股份在报告年内主要围绕网络、安全、计算存储、云计算、大数据、物联网等方面进行了持续的产品研发与技术升级，投入金额为33.23亿元，同比增长9.90%。

9纳米线宽！我国光刻样机实现微纳器件三维光制造新突破

据科技日报报道，武汉光电国家研究中心甘棕松团队采用二束激光在自研的光刻胶上突破了光束衍射极限的限制，采用远场光学的办法，光刻出最小9纳米线宽的线段，实现了从超分辨成像到超衍射极限光刻制造的重大创新。

据科技日报报道，甘棕松团队克服了材料、软件、零部件国产化三大难题。开发了多类光刻胶、实现了样机系统关键零部件国产化，实现了微纳三维器件结构设计和制造软件一体化。甘棕松说，我们打破了三维微纳光制造的国外技术垄断，在这个领域，从材料、软件到光机电零部件，我们都将不再受制于人。

据悉，甘棕松团队利用的是光刻胶材料对不同波长光束能够产生不同的光化学反应，让自主研发的光刻胶在第一个波长的激光光束下产生固化，在第二个波长的激光光束下破坏固化。第二束光被调制为空心光（中心光强为0），并利用第二曙光与第一束光形成的重合光斑，作用于光刻胶。这样只有第二束光空心部分的光刻胶最终被固化，从而远场突破衍射极限。

o   半导体设备销售，大陆首度超越台湾

SEMI 表示，南韩去年连续第二年成为全球最大的半导体新设备市场，全年销售金额共177.1亿美元，但年减1%；中国大陆跃居第二，年增59%、达130亿美元.....

国际半导体产业协会（SEMI）昨（11）公布最新调查报告指出，2018年全球半导体制造设备销售总金额达645亿美元，创新高，年增14%，中国大陆首度超车台湾，跃升为第二大设备市场，台湾退居第三。

o   台湾IC设计业去年产值续创新高

根据研调机构DIGITIMES Research最新报告统计，2018年台湾IC设计业产值逾6,200亿元，改写历史新高，前十大业者联发科、联咏、瑞昱、奇景（Himax）、创意、瑞鼎等营收皆有不错表现。

o   全球O S D十大厂商供应商排行，中国企业上榜

报告显示，目前销售光电子产品的公司在前十大O-S-D供应商中排名第一。前十大公司中有九家销售光电子产品，六家提供传感器/执行器半导体，五家提供分立产品。前十大公司中只有四家在所有三个O-S-D细分市场中销售产品。排名中的10家最大供应商占2018年全球O-S-D总收入的39％，与2017年相同（相比之下，排名前10位的IC供应商占2018年IC市场总份额的70％）。

在区域方面，前十大供应商中有三家总部设在日本，三家在欧洲，两家在美国，两家在亚太地区（一家在韩国，一家在中国）。值得注意的是，尽管日本经济持续疲软，日本在光电子和离散电池方面的强大历史地位，使得三家最大的日本半导体制造商保持在前十大O-S-D排名中。

总投资5亿的半导体IGBT项目落户绍兴

绍兴日报称，该项目属于中芯国际项目的关联产业项目，中芯国际项目预计2019年6月主厂房结构封顶，9月工艺设备调试，2020年一季度正式量产。

据介绍，天毅半导体全称广东天毅半导体技术有限公司，是一家集新能源芯片设计、控制技术为一体，同时具备半导体设计、封装、控制器软硬件及特种材料自主研发及制造能力的企业，主导产品为IPM模块、IGBT模块、变频模组、电动汽车变频模组等。

o   承担清洗设备国产化重任的盛美半导体向世界前三的目标不断迈进

随着集成电路制程工艺节点越来越先进，对实际制造的几个环节也提出了新要求，清洗环节的重要性日益凸显。随着线宽微缩，晶圆制造的良率随着线宽缩小而下降，而提高良率的方式之一就是增加清洗工艺，在80-60nm制程中，清洗工艺大约100多个步骤，而到了20-10nm制程，清洗工艺上升到200多个步骤以上。

粗略计算，随着工艺节点的缩小，整个清洗步骤的次数大概以15%的速度增加。以一条月产能在10万片的DRAM产线举例，良率下降1%会导致企业每年3000-5000万美元利润损失，若工厂产能更高，会造成更高的资本支出。因此为了避免利润损失，未来先进产线上的清洗设备数量增加是必然的。

根据TMR统计数据，2017年全球清洗机设备市场规模达到27亿美元，预计2020年达到35-40亿美元，2015-2020年的年均复合增速达6.8%。值得一提的是，随着中国半导体产业的快速崛起，国内的清洗机市场将面临更大的发展机会。

从当前全球清洗设备市场来看，日本公司占据了主导，约40%左右的市场份额由日本Screen（迪恩士）占据，20%左右的市场份额被日本Tokyo Electron（东京电子）占据，其他厂商包括韩国SEMES（细美事）、美国Lam Research（泛林）等。

反观国内，在清洗设备方面，主要有盛美半导体、北方华创和至纯科技有所布局，且三者之间的产品存在较大的差异。尤其是盛美半导体，凭借着自主研发的SAPS和TEBO等两项清洗技术，承担着清洗设备国产化重任，并已经开始和迪恩士、东京电子、泛林等国际企业的正面竞争。

o   具潜力的奈米金属导线材料砷化铌

NbAs优异的电导性质怎么产生的？它是一种拓朴材料，叫怀尔半金属(Weyl semimetal)。它与拓朴绝缘体不同，拓朴绝缘体在块体内(bulk)是绝缘的，只有表面导电，讲术语就是自由电子只有表面态(surface state)。而这表面电流中电子的动量方向与自旋方向相互垂直，术语叫自旋动量锁定(spin-momentum locking)，因而表面电流也携带有定向的自旋流(spin current)，SOT MRAM就是利用这自旋流来翻转磁化层的磁矩方向，成就写入机制。

NbAs其实不是金属。严格来说，它是半金属(semimetal)。金属的导电带(conduction band)与共价带(valence band)重迭，电子得以自由流动；半金属的导电带与共价带只有一点接触，可用以导电的电子带较少，因此导电性一般不如金属。

到了深奈米的制程，组件的线幅、厚度不断微缩，金属行径产生了质的变化。由于厚度较薄，因表面散射的影响越来越大，电阻也跟着增加，这就成为深奈米组件能秏的重大考虑。NbAs的电导(conductance)就成了最吸引人的性质。简单来说，NbAs在室温时电导是铜的3倍。

这几年奈米材料的进展在半导体及相关领域迅速开展，速度令人眩目惊心。先是去年下半年发现拓朴绝缘体(topological insulator)锑化铋(BiSb)可以用来做为SOT MRAM的磁化翻转机制导线材料，数量级的大幅降低所需电流与功耗、提升写入速度。三月底才于《Nature Materials》[1]发表的砷化铌(NbAs)则对未来半导体深奈米金属联机提供了极有潜力的材料。

o   7nm EUV芯片来临，三星宣布今年6月开启大规模生产

进入10nm节点之后，全球只剩下英特尔、台积电及三星三大半导体公司有能力跟进，代工厂的选择只有台积电、三星两家，其中台积电几乎拿下了大部分7nm芯片订单，客户包括苹果、华为、AMD、高通、联发科等半导体公司。在7nm工艺上，三星没有争取到多少客户，而且三星选择直接进入EUV时代，进度也不如台积电，自家的Exynos 9820处理器都没赶上7nm EUV工艺，好在今年6月份三星真的能够量产7nm EUV工艺了，将推出Exynos 9825处理器，用于下半年的Galaxy Note 10等手机上。

三星电子副董事长金基南(Kim Ki-nam)在上月的股东大会上表示，相信公司将能够先于竞争对手大规模生产7纳米EUV产品。但台积电有可能在几天内成为第一家大规模生产7纳米EUV芯片的公司。然而，即使台积电先于三星电子大规模生产产品，半导体行业观察人士指出，台积电并不将EUV设备应用于整个生产过程，而是只应用于少数几个生产过程。

三星电子解释说，与目前的10纳米工艺相比，7纳米EUV工艺可以将芯片尺寸缩小约40%，并将电能效率提高约50%。尽管台积电在开始7纳米工艺方面领先于三星电子，但三星是第一家将EUV设备投入大规模生产的公司。台积电还急于大规模生产麒麟985，这是华为使用的一种AP，采用7纳米EUV工艺。与三星一样，华为很少在下半年为新产品发布新的AP。麒麟985可能会在今年上半年推出，搭载于华为Mate 30智能手机。

o   intel server MPU各制程节点出货量

莫大康：浙江大学校友，求是缘半导体联盟顾问。亲历50年中国半导体产业发展历程的著名学者、行业评论家。

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